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Physique des semiconducteurs 2006 (7) :: post
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Post nº7 (id1621) envoyé par Seb  le 12 Jan 2006, 18:46
J'ai eu liaison etroite pr changer et jonction P-N, les petites quest sont les mêmes que d'habitude.Pr l'exam en lui-même ne vs inquièter pas, il fait pr tt vs mettre à l'aise et les pts tombent si vs maitrisez un minimum.Allez courage pr les suivants A+

Post nº6 (id1619) envoyé par Zakaria  le 12 Jan 2006, 17:35
Fonctions de Bloch
Jonction P-N

Les questions supplémentaires qu'il pose sont toujours les mêmes et elles ont dejà toutes été postées !!!

Post nº5 (id1618) envoyé par Lau  le 12 Jan 2006, 17:14
1. Théorème de Bloch (démo au choix) + propriétés des fonctions de Bloch ("je vois que vous m'en avez mis qqes-unes, je vais choisir avec laquelle je vais vous embêter"... -> interprétation de l'expression de la vitesse des électrons de Bloch)

2. Variation du niveau de Fermi et de la conductivité avec la température (-> interpréter les comportements en fonction des probabilités de présence + "qu'est-ce qu'un phonon?"...)

Post nº4 (id1615) envoyé par anonyme  le 11 Jan 2006, 20:51
Démontrer le théorème de Bloch (une des démonstration au choix)

Attention que k est un vecteur construit sur base du réseau réciproque mais n'est PAS un vecteur du réseau réciproque. (même s'il appartient à l'espace réciproque.) donc en gros réseau réciproque diférent de l'espace réciproque. J'ai parlé des propriètes qu'impliquait le théorème.

décrire la jonction PN abrupte!
C'est à dire expliquer les schèmas. Quel est l'ordre de grandeur de Vd?
(rep: 1V) Pourquoi? (heu ... parce que jke l'ai lu dans les pompes...? non? heu... ) Là il m'a un peu aidé. ( que vaut le gap pour le Si? rep: 1eV.) Il faut bien comprendre ce qu'est Vd et donc 1eV * 1e=1V !!! Moi, j'ai un peu trainé là dessus.

Vous avez tout le temps que vous voulez. Largement de quoi étudier le cours ; )

Un certain C.


Post nº3 (id1612) envoyé par Francois Bernard  le 11 Jan 2006, 16:55
Bonjour,

Pour ceux qui sont pas encore passés, voici les questions que j'ai eues ce
matin chez M. Dubus :

1. Approximation de la liaison étroite : en gros, donner les hypothèses de
départ, les conclusions et les remarques à la fin (vitesse de Bloch, largeur
de bandes en fonction des intégrales de recouvrement).

Question supplémentaire : qu'est-ce qui permet d'utiliser l'expression
v(k) = 1/h * dE/dk ? Réponse : le fait qu'on considère les fonctions d'ondes
comme des paquets d'onde.

2. Jonction pn à l'équilibre thermique : donner les hypothèses, parler du
potentiel de diffusion, expliquer d'où il vient, ...

Questions supplémentaires : ordre de grandeur de Vd (1V), ordre de grandeur
du gap du Silicium (1eV), que vaut Vd à haute température (0), le niveau de
Fermi peut-il se trouver dans les bandes de valence ou de conduction (oui),
comment (augmenter les concentrations d'impuretés), application de
semiconducteurs dont le niveau de Fermi est dans la bande de conduction (ou
de valence) (application de base : diode-tunnel).

Voila, bon amusement

Post nº2 (id1611) envoyé par thomas  le 11 Jan 2006, 16:18
1) Démontrer le théorème de Bloch (1ère ou 2ème démonstration au choix) et donner les propriétés importantes des fonctions de Bloch.
2) Expliquer comment varient le niveau de Fermi et la conductivité électrique avec la température pour un semi-conducteur de type N

Post nº1 (id1609) envoyé par Bruno  le 11 Jan 2006, 12:15
fonction de bloch + jonction pn
question supplémentaire : unité de k, Ef peut être dans la bande de conduction, taux de dopage, ordre de grandeur de Vd pour différent SC suivant le gap : va de moins d' 1V à 2V.


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